Крупнейшие технологические корпорации Intel, Samsung и Toshiba объединяются для разработки микросхем, плотность размещения элементов в которых более чем в два раза превышает возможности современных полупроводниковых технологий, сообщило в четверг агентство Рейтер со ссылкой на японскую газету Nikkei daily.
По информации газеты, совместные разработки трех компаний к концу 2016 года позволят перейти на 10-нанометровый технологический процесс производства микросхем, сделав чипы в два раза более компактными, чем нынешние.
Samsung Electronics и Toshiba - лидеры в области производства чипов для флэш-накопителей – совместно с крупнейшим производителем микропроцессоров Intel намерены сформировать консорциум, в который будут приглашены еще около десяти компаний, разрабатывающих материалы для полупроводников и занятых в смежных с полупроводниковой индустрией отраслях.
Министерство экономики, торговли и индустриального развития Японии, как ожидается, вложит в проект около 5 миллиардов иен (61,21 миллиона долларов). Это примерно половина средств, первоначально вкладываемых в разработку и тестирование новых чипов. Остальное финансирование обеспечат члены консорциума, пишет газета.
Toshiba и Samsung планируют использовать совместные наноразработки для создания нового поколения флэш-накопителей, а интерес Intel состоит в ускорении работы микропроцессоров.
Intel уже производит чипы с помощью 32-нанометрового техпроцесса и планирует переход на 22 нанометра в следующем году. Компания намерена инвестировать от 6 до 8 миллиардов долларов в переоборудование производства микропроцессоров в США. Средства будут потрачены на возведение нового экспериментального завода для производства чипов, а также на переоборудование под новый 22-нанометровый технологический процесс четырех уже существующих заводов компании.
